Ferroelectric RAM - Wikipedia
Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. FeRAM is one of a growing number of alternative non-volatile random-access memory technologies that offer the same functionality as flash memory .
铁电存储器（一种随机存取存储器）_百度 ... - 百度百科
铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
鐵電隨機存取記憶體 - 维基百科，自由的百科全书
鐵電隨機存取記憶體 （Ferroelectric RAM，縮寫為 FeRAM 或 FRAM），類似於 SDRAM，是一種 随机存取存储器 技術。 但因為它使用了一層有 铁电性 的材料，取代原有的 介電質，使得它也擁有 非揮發性記憶體 的功能。 麻省理工大學 達德利·艾倫·巴克 （Dudley Allen Buck）在1952年提出的碩士論文中，首次提出了這個概念。 它有比 闪存 更低的耗电量，还有更高的写入速度，还有更长的读写寿命 (大约10¹⁰到10¹⁵次循环)。 它在+85℃时可以保存数据十年以上。 但是它的缺点是 …
F-RAM (Ferroelectric RAM) - Infineon Technologies
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory or FeRAM) is a standalone non-volatile memory that enables you to instantly capture and preserve critical data when power is interrupted. They are ideal for mission-critical data logging applications like high-performance programmable logic controllers (PLC) requiring high reliability control and ...
鐵電隨機存取記憶體 - 維基百科，自由的百科全書
鐵電隨機存取記憶體 （Ferroelectric RAM，縮寫為 FeRAM 或 FRAM），類似於 SDRAM，是一種 隨機存取存儲器 技術。 但因為它使用了一層有 鐵電性 的材料，取代原有的 介電質，使得它也擁有 非揮發性記憶體 的功能。 麻省理工大學 達德利·艾倫·巴克 （Dudley Allen Buck）在1952年提出的碩士論文中，首次提出了這個概念。 它有比 快閃記憶體 更低的耗電量，還有更高的寫入速度，還有更長的讀寫壽命 (大約10¹⁰到10¹⁵次循環)。 它在+85℃時可以保存數據十年以上。 但是它的 …
F-RAM（铁电RAM） - Infineon Technologies
f-ram（铁电随机存取存储器或 feram）是一种独立的非易失性存储器，可让您在电源中断时立即捕获和保存关键数据。 它们非常适合任务关键型数据记录应用，例如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可编程逻辑控制器 (PLC) 或改善生活质量的患者监护设备。
Ferroelectric RAM | Data Speed, Energy Efficiency & Stability
May 29, 2024 · Ferroelectric RAM (FeRAM or FRAM) is a fast, non-volatile memory technology that retains data without power, combining the speed of DRAM with the persistence of flash memory.
Wurtzite and fluorite ferroelectric materials for electronic memory
Apr 27, 2023 · The prominent performance gap between storage-class NVM and volatile working memory can probably be filled by emerging NVM technologies such as resistive RAM (RRAM), phase change RAM (PCRAM),...
Ferroelectric random access memory (FRAM) devices
Jan 1, 2014 · We review the history of, and recent advances in, ferroelectric memory, including ferroelectric random access memory (FRAM or FeRAM). FRAM is the first among advanced non-volatile memories, such as magnetoresistive random-access memory (MRAM), phase-change random access memory (PRAM) and resistive random access memory (ReRAM), to be commercialized.
FeRAM - 百度百科
FeRAM(Ferroelectric RAM),缩写为FeRAM或FRAM,类似于 SDRAM ，是一种 随机存取存储器 技术。 但因为它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的 介电质 ，使得它也拥有 非挥发性内存 的功能。
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